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【2h】

Circuit design with adjustable threshold using the independently controlled double gate feature of the Vertical Slit Field Effect Transistor (VESFET)

机译：使用垂直狭缝场效应晶体管（VEsFET）的独立控制双栅极功能的可调阈值电路设计

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M. Weis; D. Schmitt-Landsiedel;
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年度 2010
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